Gamintojo produkto numeris:
IPN65R1K5CEATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPN65R1K5CEATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventorius:
13064052
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPN65R1K5CEATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
CoolMOS™ CE
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
225 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Pagrindinio produkto numeris
IPN65R1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPN65R1K5CEATMA1DKR
IPN65R1K5CEATMA1TR
IPN65R1K5CEATMA1CT
2156-IPN65R1K5CEATMA1TR
SP001461234
IPN65R1K5CEATMA1-ND
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPN70R1K4P7SATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7808
DiGi DALIES NUMERIS
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
VISO KAINA
0.17
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFP4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC
IRFU120Z
MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
