Gamintojo produkto numeris:
IPP60R160P7XKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPP60R160P7XKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 81W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventorius:
13276414
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPP60R160P7XKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™ P7
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 350µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1317 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
81W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-3-1
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IPP60R160
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001866174
2156-IPP60R160P7XKSA1
448-IPP60R160P7XKSA1
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPA040N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 72A TO220
IPA083N10NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
IPA600N25NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 250V 15A TO220
