Gamintojo produkto numeris:
IRF6618TR1PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6618TR1PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventorius:
12806819
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6618TR1PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Ta), 170A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5640 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MT
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MT
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001532196
IRF6618TR1PBFTR
IRF6618TR1PBFDKR
IRF6618TR1PBFCT
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF6618TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
3953
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6618TRPBF-DG
VISO KAINA
1.07
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4435DY
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
SPB80N04S2-H4
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRL3502S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
