Gamintojo produkto numeris:
IRF6674TR1PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6674TR1PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventorius:
12805938
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6674TR1PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.9V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MZ
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MZ
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6674TR1PBFTR
SP001571484
IRF6674TR1PBFCT
IRF6674TR1PBFDKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF6674TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
13534
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6674TRPBF-DG
VISO KAINA
1.35
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF1902GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
IRL530NSTRL
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRF6628TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
