Gamintojo produkto numeris:
IRF830PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF830PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12806499
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF830PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
610 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
74W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRF830
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF830PBF-BE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
3320
DiGi DALIES NUMERIS
IRF830PBF-BE3-DG
VISO KAINA
0.53
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
IRF830PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
9086
DiGi DALIES NUMERIS
IRF830PBF-DG
VISO KAINA
0.53
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
IRFB4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
SPA11N60C3IN
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
