Gamintojo produkto numeris:
IRFI9Z24N
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRFI9Z24N-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
Išsami aprašymas:
P-Channel 55 V 9.5A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventorius:
12804869
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFI9Z24N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
175mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
29W (Tc)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB Full-Pak
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STP10P6F6
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
555
DiGi DALIES NUMERIS
STP10P6F6-DG
VISO KAINA
0.62
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPW65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
