Gamintojo produkto numeris:
IRLMS1902TR
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRLMS1902TR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventorius:
12823117
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRLMS1902TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.7V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
300 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.7W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
Micro6™(TSOP-6)
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Dizaino ištekliai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRLMS1902CT
IRLMS1902
*IRLMS1902TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
ZXMN2A01E6TA
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
7328
DiGi DALIES NUMERIS
ZXMN2A01E6TA-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTH150N17T
MOSFET N-CH 175V 150A TO247
IRF6623TR1
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRLL2705PBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
