Gamintojo produkto numeris:
IXFB80N50Q2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFB80N50Q2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 80A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventorius:
12820938
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFB80N50Q2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Q2 Class
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
960W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PLUS264™
Pakuotė / dėklas
TO-264-3, TO-264AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFB80
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFB100N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
4
DiGi DALIES NUMERIS
IXFB100N50P-DG
VISO KAINA
22.37
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STY60NM50
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
600
DiGi DALIES NUMERIS
STY60NM50-DG
VISO KAINA
14.21
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFP5N100PM
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220
IXTP180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252