Gamintojo produkto numeris:
IXFL38N100P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFL38N100P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 29A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Inventorius:
12820842
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFL38N100P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
29A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
24000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
520W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
ISOPLUSi5-Pak™
Pakuotė / dėklas
ISOPLUSi5-PAK™
Pagrindinio produkto numeris
IXFL38
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
APT29F100B2
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
37
DiGi DALIES NUMERIS
APT29F100B2-DG
VISO KAINA
14.03
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFX210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
IXFN70N120SK
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO252