Gamintojo produkto numeris:
IXFN20N120
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFN20N120-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12819007
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFN20N120 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
780W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXFN20
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFR32N80P
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
IXTT10P60
MOSFET P-CH 600V 10A TO268
IXTM40N30
MOSFET N-CH 300V 40A TO204AE
