Gamintojo produkto numeris:
IXFQ80N25X3
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFQ80N25X3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 80A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventorius:
13270843
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFQ80N25X3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Ultra X3
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5430 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
390W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
IXFQ80
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-IXFQ80N25X3
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA110N055T2-TRL
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
IXFA7N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
IXTA6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263