Gamintojo produkto numeris:
IXFT150N17T2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFT150N17T2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Išsami aprašymas:
N-Channel 175 V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventorius:
12819363
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFT150N17T2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, TrenchT2™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
175 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
150A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
14600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
880W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268HV (IXFT)
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT150
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
IXTA160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263
