Gamintojo produkto numeris:
IXFT52N50P2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFT52N50P2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventorius:
12820398
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFT52N50P2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, PolarP2™
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
52A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
113 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
960W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT52
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFT52N50P2
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFT60N50P3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
6
DiGi DALIES NUMERIS
IXFT60N50P3-DG
VISO KAINA
6.36
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
APT42F50S
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
APT42F50S-DG
VISO KAINA
10.63
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
IXTA80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
IXTA38N15T
MOSFET N-CH 150V 38A TO263
