Gamintojo produkto numeris:
IXTH30N60L2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTH30N60L2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventorius:
475 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821168
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTH30N60L2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Linear L2™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
335 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10700 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
540W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247 (IXTH)
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTH30
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
622201
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFT60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
IXTP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
IXFT12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268