Gamintojo produkto numeris:
IXTP3N110
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTP3N110-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12820720
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTP3N110 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTP3
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFBG30PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
4495
DiGi DALIES NUMERIS
IRFBG30PBF-DG
VISO KAINA
1.02
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STP3NK90Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
361
DiGi DALIES NUMERIS
STP3NK90Z-DG
VISO KAINA
0.77
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTP2R4N120P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
14
DiGi DALIES NUMERIS
IXTP2R4N120P-DG
VISO KAINA
3.25
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTA3N120HV
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA230N04T4
MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
