Gamintojo produkto numeris:
IXTT1N100
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTT1N100-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventorius:
12820026
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTT1N100 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
480 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
60W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXTT1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTH3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
IXTQ60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
IXTV30N60PS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
