PSMN4R5-80YSFX

Gamintojo produkto numeris:

PSMN4R5-80YSFX

Product Overview

Gamintojas:

Nexperia USA Inc.

Detalių numeris:

PSMN4R5-80YSFX-DG

Aprašymas:

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

Išsami aprašymas:

N-Channel 80 V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventorius:

1500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

13001066

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

PSMN4R5-80YSFX Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Nexperia

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

80 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

100A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

7V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 1mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

90 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

6009 pF @ 40 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

238W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

LFPAK56, Power-SO8

Pakuotė / dėklas

SC-100, SOT-669

Pagrindinio produkto numeris

PSMN4R5

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

934661575115

1727-PSMN4R5-80YSFXDKR

1727-PSMN4R5-80YSFXCT

5202-PSMN4R5-80YSFXTR

1727-PSMN4R5-80YSFXTR

Standartinis paketas

1,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

nexperia

GAN190-650EBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

AOTF42S60

MOSFET

nexperia

GAN140-650FBEZ

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

nexperia

GAN080-650EBEZ

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (