Gamintojo produkto numeris:
PBSS5230QAZ
Product Overview
Gamintojas:
NXP Semiconductors
Detalių numeris:
PBSS5230QAZ-DG
Aprašymas:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventorius:
554308 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996639
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PBSS5230QAZ Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
2 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
30 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Galia - Maks.
325 mW
Dažnis - perėjimas
170MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
3-XDFN Exposed Pad
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN1010D-3
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-PBSS5230QAZ-954
Standartinis paketas
4,691
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
