Gamintojo produkto numeris:
2SC3361-6-TB-E-ON
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SC3361-6-TB-E-ON-DG
Aprašymas:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 150 mW Surface Mount 3-CP
Inventorius:
30000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12941208
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SC3361-6-TB-E-ON Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
150 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
400mV @ 1mA, 10mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Galia - Maks.
150 mW
Dažnis - perėjimas
100MHz
Darbinė temperatūra
125°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginių paketas
3-CP
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONS2SC3361-6-TB-E
2156-2SC3361-6-TB-E-ON
Standartinis paketas
1,567
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BC846AMTF
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
NJVTIP50G
BIP TO-220 NPN 1A 400V
2SD1347T-AE
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
