Gamintojo produkto numeris:
2SD1145F-AE
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SD1145F-AE-DG
Aprašymas:
BIP NPN 5A 20V
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventorius:
16000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12933880
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SD1145F-AE Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
5 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
20 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Galia - Maks.
900 mW
Dažnis - perėjimas
120MHz
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tiekėjo įrenginių paketas
3-MP
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Standartinis paketas
1,401
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
