Gamintojo produkto numeris:
FCP130N60
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FCP130N60-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
556 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12851115
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FCP130N60 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperFET® II
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3590 pF @ 380 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
278W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FCP130
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIHP28N65E-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SIHP28N65E-GE3-DG
VISO KAINA
2.49
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STP33N60M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
727
DiGi DALIES NUMERIS
STP33N60M2-DG
VISO KAINA
2.08
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDC796N_F077
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
IRLM110ATF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
