Gamintojo produkto numeris:
FDC6302P
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDC6302P-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventorius:
12836886
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDC6302P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120mA
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11pF @ 10V
Galia - Maks.
700mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tiekėjo įrenginių paketas
SuperSOT™-6
Pagrindinio produkto numeris
FDC6302
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NTJD4152PT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
15411
DiGi DALIES NUMERIS
NTJD4152PT1G-DG
VISO KAINA
0.10
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
