FDP047N10
Gamintojo produkto numeris:

FDP047N10

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDP047N10-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventorius:

917 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12836513
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDP047N10 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
15265 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
FDP047

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
ONSONSFDP047N10
2156-FDP047N10-OS
2832-FDP047N10
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

ATP208-TL-H

MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK

onsemi

FDPF045N10A

MOSFET N-CH 100V 67A TO220F

onsemi

2N7000

MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C

onsemi

3LN01SS-TL-H

MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP