Gamintojo produkto numeris:
FDS4935BZ
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS4935BZ-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
10800 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12837596
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS4935BZ Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.9A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1360pF @ 15V
Galia - Maks.
900mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
FDS49
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDW2507NZ
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
