Gamintojo produkto numeris:
FDS5170N7
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS5170N7-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventorius:
12840443
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS5170N7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10.6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2889 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO FLMP
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pagrindinio produkto numeris
FDS51
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
FDMS0306S
INTEGRATED CIRCUIT
HUF76009D3ST
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
