Gamintojo produkto numeris:
FDS5670
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDS5670-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
21413 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12846241
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDS5670 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
FDS56
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDS5670TR
2156-FDS5670-OS
ONSFSCFDS5670
FDS5670DKR
FDS5670CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AON6916
MOSFET N-CH
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
AO3407L
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
