Gamintojo produkto numeris:
FQB5P10TM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQB5P10TM-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 4.5A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12846692
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQB5P10TM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
250 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB5
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF5210STRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7933
DiGi DALIES NUMERIS
IRF5210STRLPBF-DG
VISO KAINA
1.26
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRF6215STRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
5
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6215STRLPBF-DG
VISO KAINA
1.54
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDBL86563-F085
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
FQP4P40
MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
FCD3400N80Z
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
