Gamintojo produkto numeris:
FQB9N50CTM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQB9N50CTM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12838938
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQB9N50CTM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1030 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
135W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FQB9N50
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FQB9N50CTMFSDKR
FQB9N50CTM-DG
FQB9N50CTMFSTR
FQB9N50CTMFSCT
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FCB260N65S3
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
6
DiGi DALIES NUMERIS
FCB260N65S3-DG
VISO KAINA
1.40
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB11NK50ZT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
872
DiGi DALIES NUMERIS
STB11NK50ZT4-DG
VISO KAINA
1.34
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
