Gamintojo produkto numeris:
FQD7N20TM_F080
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQD7N20TM_F080-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 5.3A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
12839244
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQD7N20TM_F080 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
690mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
FQD7
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STD5N20LT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
20061
DiGi DALIES NUMERIS
STD5N20LT4-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
ZXMN20B28KTC
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
3100
DiGi DALIES NUMERIS
ZXMN20B28KTC-DG
VISO KAINA
0.23
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
FQPF630
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK