Gamintojo produkto numeris:
FQI7N80TU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQI7N80TU-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventorius:
12837935
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQI7N80TU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1850 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262 (I2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
FQI7N80
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FCB290N80
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
1509
DiGi DALIES NUMERIS
FCB290N80-DG
VISO KAINA
2.86
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDT3612
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
