Gamintojo produkto numeris:
FQPF2N80YDTU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQPF2N80YDTU-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventorius:
2144 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12848344
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQPF2N80YDTU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
550 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Pagrindinio produkto numeris
FQPF2
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FQPF2N80
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
987
DiGi DALIES NUMERIS
FQPF2N80-DG
VISO KAINA
0.66
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRFIBE20GPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
37
DiGi DALIES NUMERIS
IRFIBE20GPBF-DG
VISO KAINA
1.13
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK963R3-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
FQP34N20
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
