Gamintojo produkto numeris:
FQU1N60CTU
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FQU1N60CTU-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
Inventorius:
12850201
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQU1N60CTU Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
170 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
FQU1N60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-DG
FQU1N60CTUFS
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STD1NK60-1
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
5751
DiGi DALIES NUMERIS
STD1NK60-1-DG
VISO KAINA
0.38
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STU2N62K3
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
3000
DiGi DALIES NUMERIS
STU2N62K3-DG
VISO KAINA
0.52
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
FQPF9N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
AO3406
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3L
