Gamintojo produkto numeris:
NDD03N80Z-1G
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NDD03N80Z-1G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventorius:
12842417
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NDD03N80Z-1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
440 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I-PAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
NDD03
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STD2N80K5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
6117
DiGi DALIES NUMERIS
STD2N80K5-DG
VISO KAINA
0.54
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FCU3400N80Z
GAMINTOJAS
Fairchild Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1691
DiGi DALIES NUMERIS
FCU3400N80Z-DG
VISO KAINA
0.56
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTP5862NG
MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB
NVTFS5C454NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
NTD4965NT4G
MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
