Gamintojo produkto numeris:
NTP165N65S3H
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
NTP165N65S3H-DG
Aprašymas:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
523 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12950501
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTP165N65S3H Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperFET® III
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1.6mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1808 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
142W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-NTP165N65S3H
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
MSJP20N65A-BP
GAMINTOJAS
Micro Commercial Co
PRIEINAMAS KIEKIS
30050
DiGi DALIES NUMERIS
MSJP20N65A-BP-DG
VISO KAINA
1.47
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NTP067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
