Gamintojo produkto numeris:

NVH082N65S3F

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

NVH082N65S3F-DG

Aprašymas:

SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH

Išsami aprašymas:

N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12972775

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

NVH082N65S3F Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

onsemi

Pakuotė

Tube

Serijos

SuperFET® III, FRFET®

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

650 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

40A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

82mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

5V @ 1mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

81 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

3410 pF @ 400 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

313W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-247-3

Pakuotė / dėklas

TO-247-3

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

NVH082N65S3F-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

488-NVH082N65S3F

Standartinis paketas

30

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

Not Applicable

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

panjit

PJW5N10_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

onsemi

NTMJS0D9N03CGTWG

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

panjit

PJQ5476AL_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJW7N06A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M