Gamintojo produkto numeris:
PJD10P10A_L2_00001
Product Overview
Gamintojas:
Panjit International Inc.
Detalių numeris:
PJD10P10A_L2_00001-DG
Aprašymas:
100V P-CHANNEL MOSFET
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 2A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
12973797
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PJD10P10A_L2_00001 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta), 10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
210mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1419 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 54W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD10
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3757-PJD10P10A_L2_00001TR
3757-PJD10P10A_L2_00001DKR
3757-PJD10P10A_L2_00001CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PJF18N20_T0_00001
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJC7439_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD25N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
