PJD12P06_L2_00001
Gamintojo produkto numeris:

PJD12P06_L2_00001

Product Overview

Gamintojas:

Panjit International Inc.

Detalių numeris:

PJD12P06_L2_00001-DG

Aprašymas:

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta), 12A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventorius:

12972898
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

PJD12P06_L2_00001 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
PANJIT
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.6A (Ta), 12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
385 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
PJD12

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3757-PJD12P06_L2_00001TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
rohm-semi

R6530KNZ4C13

650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

infineon-technologies

IAUS300N04S4N007ATMA1

MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

goford-semiconductor

2301

P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8

panjit

PJL9421_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M