Gamintojo produkto numeris:
R6002END3TL1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6002END3TL1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
2329 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527435
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6002END3TL1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
65 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
26W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
R6002
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6002END3TL1CT
R6002END3TL1DKR
R6002END3TL1TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RCD075N20TL
MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3
RD3T050CNTL1
MOSFET N-CH 200V 5A TO252
RD3P050SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
