Gamintojo produkto numeris:
R6011KNJTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6011KNJTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventorius:
13527461
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6011KNJTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
740 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
124W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LPTS
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R6011
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6011KNJTLCT
R6011KNJTLTR
R6011KNJTLDKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFA12N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
288
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA12N65X2-DG
VISO KAINA
1.82
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXFA22N60P3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA22N60P3-DG
VISO KAINA
3.61
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RAL045P01TCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
R6007JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
RSD140P06TL
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
