Gamintojo produkto numeris:
R6007JNJGTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6007JNJGTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventorius:
1080 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527464
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6007JNJGTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17.5 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
475 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LPTS
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R6007
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
R6007JNJGTLCT
R6007JNJGTLTR
R6007JNJGTLDKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RSD140P06TL
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
RQ5C020TPTL
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
R6015ANX
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
