Gamintojo produkto numeris:
R6042JNZ4C13
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6042JNZ4C13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 42A (Tc) 495W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventorius:
97 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13527266
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6042JNZ4C13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
42A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
15V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
104mOhm @ 21A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 5.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
495W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247G
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
R6042
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
SCH2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
RQ3E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
