Gamintojo produkto numeris:
R6507ENJTL
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
R6507ENJTL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventorius:
998 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12851448
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
R6507ENJTL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 200µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
390 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
78W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LPTS
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
R6507
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-R6507ENJTLDKR
846-R6507ENJTLTR
846-R6507ENJTLCT
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HUF76629D3
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FDG410NZ
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
