Gamintojo produkto numeris:
RQ3E180BNTB1
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ3E180BNTB1-DG
Aprašymas:
NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventorius:
2820 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12998306
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ3E180BNTB1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Ta), 39A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 20W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-HSMT (3.2x3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
RQ3E180
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
846-RQ3E180BNTB1CT
846-RQ3E180BNTB1DKR
846-RQ3E180BNTB1TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RQ3E180BNTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2820
DiGi DALIES NUMERIS
RQ3E180BNTB1-DG
VISO KAINA
0.60
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IMZA120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETE
RCJ451N20TL
200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO
MCAC25P10YHE3-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
