Gamintojo produkto numeris:
RQ7E055ATTCR
Product Overview
Gamintojas:
Rohm Semiconductor
Detalių numeris:
RQ7E055ATTCR-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 5.5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
Inventorius:
326 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13526402
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RQ7E055ATTCR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
ROHM Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
24.5mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TSMT8
Pakuotė / dėklas
8-SMD, Flat Lead
Pagrindinio produkto numeris
RQ7E055
Duomenų lapas ir dokumentai
Patikimumo dokumentai
Dizaino ištekliai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RQ7E055ATTCRTR
RQ7E055ATTCRCT
RQ7E055ATTCRDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI5403DC-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5769
DiGi DALIES NUMERIS
SI5403DC-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.35
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RSY500N04FRATL
MOSFET N-CH 40V 50A TCPT3
RJ1G12BGNTLL
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
