Gamintojo produkto numeris:
STB23NM50N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STB23NM50N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12878779
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STB23NM50N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
17A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1330 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
STB23
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-10874-2
497-10874-6
497-10874-1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SPB21N50C3ATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2928
DiGi DALIES NUMERIS
SPB21N50C3ATMA1-DG
VISO KAINA
2.00
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTA460P2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
36
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA460P2-DG
VISO KAINA
4.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STU6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
