Gamintojo produkto numeris:
STD11N60M2-EP
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD11N60M2-EP-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
12877097
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD11N60M2-EP Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MDmesh™ M2-EP
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.75V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
390 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
85W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
STD11
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-16936-2
-1138-STD11N60M2-EPTR
497-16936-1
-1138-STD11N60M2-EPDKR
497-16936-6
-1138-STD11N60M2-EPCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTY8N70X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
49
DiGi DALIES NUMERIS
IXTY8N70X2-DG
VISO KAINA
1.41
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTY8N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
20
DiGi DALIES NUMERIS
IXTY8N65X2-DG
VISO KAINA
1.22
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
