Gamintojo produkto numeris:
STP13NM50N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP13NM50N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
12878600
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP13NM50N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
960 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP13N
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
STP13NM50N-DG
-497-7505-5
497-7505-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFB17N50LPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1260
DiGi DALIES NUMERIS
IRFB17N50LPBF-DG
VISO KAINA
2.59
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STP12NM50
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
756
DiGi DALIES NUMERIS
STP12NM50-DG
VISO KAINA
1.92
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
STP220N6F7
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
STF13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP