Gamintojo produkto numeris:
STW56N65M2-4
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STW56N65M2-4-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventorius:
12948515
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STW56N65M2-4 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ M2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
49A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
62mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
358W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247-4
Pakuotė / dėklas
TO-247-4
Pagrindinio produkto numeris
STW56
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-497-15373-5
497-15373-5
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
