KBU807G
Gamintojo produkto numeris:

KBU807G

Product Overview

Gamintojas:

Taiwan Semiconductor Corporation

Detalių numeris:

KBU807G-DG

Aprašymas:

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
Išsami aprašymas:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBU

Inventorius:

497 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
8471482
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

KBU807G Techninės specifikacijos

Kategorija
Diodai, Tiltiniai tiesinimo įrenginiai
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tray
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Diodo tipas
Single Phase
Technologija
Standard
Įtampa - piko atvirkštinė vertė (maks.)
1 kV
Dabartinis - vidutinis rektifikuotas (Io)
8 A
Įtampa - pirmyn (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 8 A
Srovė - atvirkštinis nuotėkis @ Vr
5 µA @ 1000 V
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
4-SIP, KBU
Tiekėjo įrenginių paketas
KBU
Pagrindinio produkto numeris
KBU807

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
1801-KBU807G
KBU807GT0-DG
KBU807GT0
KBU807G T0
Standartinis paketas
500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
KBU807G
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
497
DiGi DALIES NUMERIS
KBU807G-DG
VISO KAINA
0.70
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
taiwan-semiconductor

TS20P01GHD2G

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A TS-6P

taiwan-semiconductor

TS6P03GHC2G

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A TS-6P

taiwan-semiconductor

TS6P03G D2G

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A TS-6P

taiwan-semiconductor

GBPC1506M T0G

BRIDGE RECT 1P 600V 15A GBPC-M