Gamintojo produkto numeris:
TSM80N1R2CH
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM80N1R2CH-DG
Aprašymas:
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
12998582
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
C6Eo
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM80N1R2CH Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
685 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
110W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
TSM80
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
1801-TSM80N1R2CH
Standartinis paketas
15,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STU6N62K3
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
5990
DiGi DALIES NUMERIS
STU6N62K3-DG
VISO KAINA
0.74
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STU7LN80K5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
3000
DiGi DALIES NUMERIS
STU7LN80K5-DG
VISO KAINA
0.82
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TSM80N1R2CI
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM052NB03CR
30V, 90A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SI2328DS-T1-BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET